A cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio \u00e9 baseada em mat\u00e9rias-primas de carbeto de sil\u00edcio por meio de uma variedade de processos de fabrica\u00e7\u00e3o de uma cer\u00e2mica especial, o seguinte entendimento das excelentes caracter\u00edsticas da cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio.
\nA cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio tem como principais caracter\u00edsticas a resist\u00eancia \u00e0 oxida\u00e7\u00e3o, a condutividade el\u00e9trica, a alta dureza, a alta condutividade t\u00e9rmica e assim por diante.
\n(1) resist\u00eancia \u00e0 oxida\u00e7\u00e3o da cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio a 800-1140 graus, quando a resist\u00eancia \u00e0 oxida\u00e7\u00e3o \u00e9 ruim; a 1140-1600 graus, quando a resist\u00eancia \u00e0 oxida\u00e7\u00e3o \u00e9 muito boa; acima de 1750 graus, o filme de \u00f3xido \u00e9 destru\u00eddo e a resist\u00eancia \u00e0 oxida\u00e7\u00e3o diminui drasticamente.
\n(2) Condutividade O carbeto de sil\u00edcio puro \u00e9 um isolante el\u00e9trico, mas a cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio cont\u00e9m uma variedade de impurezas e, portanto, tem algumas propriedades condutoras.
\n(3) Alta dureza As propriedades de dureza da cer\u00e2mica sic s\u00e3o determinadas pelo pr\u00f3prio carbeto de sil\u00edcio; com o aumento da temperatura, a dureza da cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio n\u00e3o diminui.
\n(4) Condutividade t\u00e9rmica Em temperatura ambiente, a condutividade t\u00e9rmica da cer\u00e2mica sic \u00e9 bastante alta.<\/p>\n
O carbeto de sil\u00edcio ligado por rea\u00e7\u00e3o foi pesquisado com sucesso nos Estados Unidos anteriormente. O processo de sinteriza\u00e7\u00e3o por rea\u00e7\u00e3o \u00e9 o seguinte: primeiro, misture o p\u00f3 de \u03b1-SiC e o p\u00f3 de grafite em propor\u00e7\u00e3o e, em seguida, fa\u00e7a um tarugo poroso por prensagem a seco, extrus\u00e3o ou inje\u00e7\u00e3o de pasta. Em contato com o Si l\u00edquido em alta temperatura, o C no tarugo reage com o Si infiltrado para gerar \u03b2-SiC, que se combina com o \u03b1-SiC, e o excesso de Si preenche os poros, obtendo assim um corpo sinterizado por rea\u00e7\u00e3o n\u00e3o poroso e denso. O SiC sinterizado por rea\u00e7\u00e3o geralmente cont\u00e9m 8% de Si livre, portanto, para garantir a penetra\u00e7\u00e3o completa do Si, o tarugo deve ter porosidade suficiente. A densidade adequada do tarugo \u00e9 geralmente obtida por meio do ajuste do conte\u00fado de \u03b1-SiC e C na mistura inicial, da grada\u00e7\u00e3o do tamanho das part\u00edculas de \u03b1-SiC, da forma e do tamanho das part\u00edculas de C e da press\u00e3o de moldagem.<\/p>\n
Os experimentos mostraram que a cer\u00e2mica de SiC sinterizada por sinteriza\u00e7\u00e3o n\u00e3o pressurizada, sinteriza\u00e7\u00e3o pressurizada a quente, sinteriza\u00e7\u00e3o por press\u00e3o isost\u00e1tica a quente e sinteriza\u00e7\u00e3o por rea\u00e7\u00e3o t\u00eam caracter\u00edsticas de desempenho diferentes. Por exemplo, em termos de densidade de sinteriza\u00e7\u00e3o e resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o, as cer\u00e2micas de SiC sinterizadas por press\u00e3o a quente e por sinteriza\u00e7\u00e3o isost\u00e1tica a quente s\u00e3o relativamente altas, e o carbeto de sil\u00edcio ligado por rea\u00e7\u00e3o \u00e9 relativamente baixo. Por outro lado, as propriedades mec\u00e2nicas das cer\u00e2micas de SiC tamb\u00e9m variam de acordo com os aditivos de sinteriza\u00e7\u00e3o. As cer\u00e2micas de SiC sinterizadas sem press\u00e3o, sinterizadas com press\u00e3o termost\u00e1tica e sinterizadas por rea\u00e7\u00e3o t\u00eam boa resist\u00eancia a \u00e1cidos e bases fortes, mas as cer\u00e2micas de SiC sinterizadas por rea\u00e7\u00e3o t\u00eam baixa resist\u00eancia a \u00e1cidos superfortes, como o HF. No que diz respeito \u00e0 compara\u00e7\u00e3o da resist\u00eancia a altas temperaturas, quando a temperatura \u00e9 inferior a 900\u00b0C, a resist\u00eancia de quase todas as cer\u00e2micas de SiC aumenta; quando a temperatura excede 1400\u00b0C, a resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o das cer\u00e2micas de SiC sinterizadas por rea\u00e7\u00e3o diminui drasticamente. (Isso se deve ao fato de o corpo sinterizado conter uma certa quantidade de Si livre, quando a resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o ultrapassa determinada temperatura e cai drasticamente). Para a sinteriza\u00e7\u00e3o sem press\u00e3o e a sinteriza\u00e7\u00e3o por press\u00e3o isost\u00e1tica a quente da cer\u00e2mica de SiC, sua resist\u00eancia a altas temperaturas \u00e9 afetada principalmente pelo tipo de aditivos.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide ceramic is based on silicon carbide raw materials through a variety of processes made of a special ceramics, the following understanding of the excellent characteristics of silicon carbide ceramics. Silicon carbide ceramic are mainly oxidation resistance, electrical conductivity, high hardness, high thermal conductivity and so on. (1) oxidation resistance of silicon carbide ceramic… Continue a ler »Excelentes propriedades e m\u00e9todos de sinteriza\u00e7\u00e3o da cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[6],"tags":[],"class_list":["post-195","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-news"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t\n\t\n\t\n\t\n\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t\n\t\t