Szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia alapj\u00e1n szil\u00edcium-karbid nyersanyagok k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 elj\u00e1r\u00e1sokon kereszt\u00fcl k\u00e9sz\u00fclt egy speci\u00e1lis ker\u00e1mia, a k\u00f6vetkez\u0151 meg\u00e9rt\u00e9se a kiv\u00e1l\u00f3 tulajdons\u00e1gait szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia.
\nA szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia els\u0151sorban oxid\u00e1ci\u00f3s ellen\u00e1ll\u00e1s, elektromos vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9g, nagy kem\u00e9nys\u00e9g, nagy h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9g \u00e9s \u00edgy tov\u00e1bb.
\n(1) a szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia oxid\u00e1ci\u00f3s ellen\u00e1ll\u00e1sa 800-1140 fokon, amikor az oxid\u00e1ci\u00f3s ellen\u00e1ll\u00e1s gyenge, 1140-1600 fokon, amikor az oxid\u00e1ci\u00f3s ellen\u00e1ll\u00e1s nagyon j\u00f3, 1750 fokn\u00e1l magasabb, az oxidfilm megsemmis\u00fcl, az oxid\u00e1ci\u00f3s ellen\u00e1ll\u00e1s meredeken cs\u00f6kken.
\n(2) vezet\u0151k\u00e9pess\u00e9g A tiszta szil\u00edcium-karbid elektromos szigetel\u0151, de a szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 szennyez\u0151d\u00e9seket tartalmaz, \u00edgy bizonyos vezet\u0151 tulajdons\u00e1gokkal rendelkezik.
\n(3) nagy kem\u00e9nys\u00e9g A sic ker\u00e1mia kem\u00e9nys\u00e9gi tulajdons\u00e1gait maga a szil\u00edcium-karbid hat\u00e1rozza meg, a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet n\u00f6veked\u00e9s\u00e9vel a szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia kem\u00e9nys\u00e9ge nem cs\u00f6kken.
\n(4) H\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9g Szobah\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten a sic ker\u00e1mia h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9ge meglehet\u0151sen magas.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbiddal k\u00f6t\u00f6tt reakci\u00f3t kor\u00e1bban sikeresen kutatt\u00e1k az Egyes\u00fclt \u00c1llamokban. A reakci\u00f3szinterez\u00e9s folyamata a k\u00f6vetkez\u0151: el\u0151sz\u00f6r keverj\u00fck \u00f6ssze az \u03b1-SiC port \u00e9s a grafitport ar\u00e1nyosan, majd sz\u00e1raz sajtol\u00e1ssal, extrud\u00e1l\u00e1ssal vagy h\u00edgtr\u00e1gya befecskendez\u00e9ssel por\u00f3zus tusk\u00f3t k\u00e9sz\u00edt\u00fcnk. Magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten foly\u00e9kony Si-vel \u00e9rintkezve a tusk\u00f3ban l\u00e9v\u0151 C reakci\u00f3ba l\u00e9p a besziv\u00e1rgott Si-vel, \u00e9s \u03b2-SiC keletkezik, amely \u03b1-SiC-vel egyes\u00fcl, a felesleges Si pedig kit\u00f6lti a p\u00f3rusokat, \u00edgy egy nem p\u00f3rusos \u00e9s s\u0171r\u0171 reakci\u00f3szinterezett testet kapunk. A reakci\u00f3szinterezett SiC \u00e1ltal\u00e1ban 8% szabad Si-t tartalmaz, ez\u00e9rt a Si teljes behatol\u00e1s\u00e1nak biztos\u00edt\u00e1sa \u00e9rdek\u00e9ben a tusk\u00f3nak elegend\u0151 porozit\u00e1ssal kell rendelkeznie. A tusk\u00f3 megfelel\u0151 s\u0171r\u0171s\u00e9g\u00e9t \u00e1ltal\u00e1ban a kiindul\u00e1si kever\u00e9kben l\u00e9v\u0151 \u03b1-SiC \u00e9s C tartalm\u00e1nak, az \u03b1-SiC szemcsem\u00e9ret\u00e9nek, a C alakj\u00e1nak \u00e9s szemcsem\u00e9ret\u00e9nek, valamint az \u00f6nt\u00e9si nyom\u00e1snak a be\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1val \u00e9rik el.<\/p>\n
A k\u00eds\u00e9rletek azt mutatt\u00e1k, hogy a nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterez\u00e9ssel, forr\u00f3 nyom\u00e1s alatti szinterez\u00e9ssel, forr\u00f3 izosztatikus nyom\u00e1s alatti szinterez\u00e9ssel \u00e9s reakci\u00f3szinterez\u00e9ssel szinterezett SiC-ker\u00e1mia elt\u00e9r\u0151 teljes\u00edtm\u00e9nyjellemz\u0151kkel rendelkezik. P\u00e9ld\u00e1ul a szinterel\u00e9si s\u0171r\u0171s\u00e9g \u00e9s a hajl\u00edt\u00f3szil\u00e1rds\u00e1g szempontj\u00e1b\u00f3l a forr\u00f3 nyom\u00e1son szinterezett \u00e9s a forr\u00f3 izosztatikusan szinterezett SiC-ker\u00e1mia viszonylag magas, a reakci\u00f3k\u00f6t\u00e9s\u0171 szil\u00edciumkarbid pedig viszonylag alacsony. M\u00e1sr\u00e9szt a SiC-ker\u00e1mi\u00e1k mechanikai tulajdons\u00e1gai is v\u00e1ltoznak a szinterel\u00e9si adal\u00e9kanyagokt\u00f3l f\u00fcgg\u0151en. A nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcl szinterezett, a termosztatikusan nyom\u00e1s alatt szinterezett \u00e9s a reakci\u00f3szinterezett SiC-ker\u00e1mi\u00e1k j\u00f3 ellen\u00e1ll\u00f3 k\u00e9pess\u00e9ggel rendelkeznek az er\u0151s savakkal \u00e9s b\u00e1zisokkal szemben, de a reakci\u00f3szinterezett SiC-ker\u00e1mi\u00e1k gyenge ellen\u00e1ll\u00f3 k\u00e9pess\u00e9ggel rendelkeznek a szuperer\u0151s savakkal, p\u00e9ld\u00e1ul a HF-fel szemben. Ami a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleti ellen\u00e1ll\u00e1s \u00f6sszehasonl\u00edt\u00e1s\u00e1t illeti, ha a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet 900 \u00b0C-n\u00e1l alacsonyabb, szinte minden SiC-ker\u00e1mia szil\u00e1rds\u00e1ga n\u0151; ha a h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet meghaladja az 1400 \u00b0C-ot, a reakci\u00f3szinterezett SiC-ker\u00e1mi\u00e1k hajl\u00edt\u00f3szil\u00e1rds\u00e1ga meredeken cs\u00f6kken. (Ez annak k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151, hogy a szinterezett test tartalmaz egy bizonyos mennyis\u00e9g\u0171 szabad Si-t, ha egy bizonyos h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet felett a hajl\u00edt\u00f3szil\u00e1rds\u00e1g meredeken cs\u00f6kken) a SiC-ker\u00e1mia nyom\u00e1s n\u00e9lk\u00fcli szinterez\u00e9se \u00e9s forr\u00f3 izosztatikus nyom\u00e1sszinterez\u00e9se eset\u00e9n a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleti ellen\u00e1ll\u00e1st els\u0151sorban az adal\u00e9kanyagok t\u00edpusa befoly\u00e1solja.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide ceramic is based on silicon carbide raw materials through a variety of processes made of a special ceramics, the following understanding of the excellent characteristics of silicon carbide ceramics. Silicon carbide ceramic are mainly oxidation resistance, electrical conductivity, high hardness, high thermal conductivity and so on. (1) oxidation resistance of silicon carbide ceramic… Read More »A szil\u00edcium-karbid ker\u00e1mia kiv\u00e1l\u00f3 tulajdons\u00e1gai \u00e9s szinterel\u00e9si m\u00f3dszerei<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[6],"tags":[],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195"}],"collection":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=195"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":196,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195\/revisions\/196"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=195"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=195"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=195"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}