Piikarbidi keraaminen perustuu piikarbidi raaka-aineiden kautta erilaisia prosesseja tehty erityinen keramiikka, seuraava ymm\u00e4rrys erinomaiset ominaisuudet piikarbidi keramiikka.
\nPiikarbidikeramiikka on p\u00e4\u00e4asiassa hapettumiskest\u00e4vyytt\u00e4, s\u00e4hk\u00f6njohtavuutta, suurta kovuutta, suurta l\u00e4mm\u00f6njohtavuutta ja niin edelleen.
\n(1) piikarbidikeramiikan hapettumiskest\u00e4vyys 800-1140 asteessa, kun hapettumiskest\u00e4vyys on huono, 1140-1600 asteessa, kun hapettumiskest\u00e4vyys on eritt\u00e4in hyv\u00e4, korkeampi kuin 1750 astetta, oksidikalvo tuhoutuu, hapettumiskest\u00e4vyys v\u00e4henee jyrk\u00e4sti.
\n(2) johtavuus Puhdas piikarbidi on s\u00e4hk\u00f6inen eriste, mutta piikarbidikeramiikka sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 erilaisia ep\u00e4puhtauksia, joten sill\u00e4 on joitakin johtavia ominaisuuksia.
\n(3) Korkea kovuus Kovuusominaisuudet sic keraaminen, m\u00e4\u00e4r\u00e4ytyy piikarbidin itse, l\u00e4mp\u00f6tilan nousun my\u00f6t\u00e4, kovuus piikarbidi keramiikka ei laske.
\n(4) L\u00e4mm\u00f6njohtavuus Huoneenl\u00e4mm\u00f6ss\u00e4 sic-keraamisen l\u00e4mm\u00f6njohtavuus on melko korkea.<\/p>\n
Reaktioon sidottua piikarbidia tutkittiin Yhdysvalloissa aiemmin menestyksekk\u00e4\u00e4sti. Reaktiosintrausprosessi on seuraava: ensin sekoitetaan \u03b1-SiC-jauhetta ja grafiittijauhetta samassa suhteessa ja tehd\u00e4\u00e4n sitten huokoinen aihio kuivapuristamalla, puristamalla tai lietteen injektoinnilla. Kun aihion C reagoi korkean l\u00e4mp\u00f6tilan nestem\u00e4isen Si:n kanssa, se reagoi infiltroidun Si:n kanssa muodostaen \u03b2-SiC:t\u00e4, joka yhdistyy \u03b1-SiC:n kanssa, ja ylim\u00e4\u00e4r\u00e4inen Si t\u00e4ytt\u00e4\u00e4 huokoset, jolloin saadaan huokoseton ja tihe\u00e4 reaktiosintrattu kappale. Reaktiosintrattu SiC sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 yleens\u00e4 8% vapaata Si:t\u00e4, joten jotta varmistetaan Si:n t\u00e4ydellinen tunkeutuminen, aihion on oltava riitt\u00e4v\u00e4n huokoinen. Aihion oikea tiheys saadaan yleens\u00e4 aikaan s\u00e4\u00e4t\u00e4m\u00e4ll\u00e4 \u03b1-SiC:n ja C:n pitoisuuksia alkusekoituksessa, \u03b1-SiC:n hiukkaskokoluokitusta, C:n muotoa ja hiukkaskokoa sek\u00e4 valupaineita.<\/p>\n
Kokeet ovat osoittaneet, ett\u00e4 SiC-keramiikka, joka on sintrattu paineettomalla sintrauksella, kuumalla paineistetulla sintrauksella, kuumalla isostaattisella painesintrauksella ja reaktiosintrauksella, on erilaisia suorituskykyominaisuuksia. Esimerkiksi sintraustiheyden ja taivutuslujuuden osalta kuumapaineella sintratut ja kuumasisostaattisesti sintratut SiC-keramiikat ovat suhteellisen korkeita ja reaktiosidottu piikarbidi on suhteellisen matalaa. Toisaalta my\u00f6s SiC-keramiikan mekaaniset ominaisuudet vaihtelevat sintrauslis\u00e4aineiden mukaan. Paineistamattomat sintratut, termostaattisesti paineistetut sintratut ja reaktiosintratut SiC-keramiikat kest\u00e4v\u00e4t hyvin vahvoja happoja ja em\u00e4ksi\u00e4, mutta reaktiosintratut SiC-keramiikat kest\u00e4v\u00e4t huonosti eritt\u00e4in vahvoja happoja, kuten HF:\u00e4\u00e4. Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kest\u00e4vyyden vertailun osalta voidaan todeta, ett\u00e4 kun l\u00e4mp\u00f6tila on alle 900 \u00b0C, l\u00e4hes kaikkien SiC-keramiikoiden lujuus kasvaa; kun l\u00e4mp\u00f6tila ylitt\u00e4\u00e4 1400 \u00b0C, reaktiosintrattujen SiC-keramiikoiden taivutuslujuus laskee jyrk\u00e4sti. (T\u00e4m\u00e4 johtuu siit\u00e4, ett\u00e4 sintrattu kappale sis\u00e4lt\u00e4\u00e4 tietyn m\u00e4\u00e4r\u00e4n vapaata Si: t\u00e4, kun yli tietyn l\u00e4mp\u00f6tilan taivutuslujuus laskee jyrk\u00e4sti johtuen) SiC-keramiikan paineettoman sintrauksen ja kuuman isostaattisen paineen sintrauksen osalta sen korkean l\u00e4mp\u00f6tilan kest\u00e4vyyteen vaikuttaa p\u00e4\u00e4asiassa lis\u00e4aineiden tyyppi.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide ceramic is based on silicon carbide raw materials through a variety of processes made of a special ceramics, the following understanding of the excellent characteristics of silicon carbide ceramics. Silicon carbide ceramic are mainly oxidation resistance, electrical conductivity, high hardness, high thermal conductivity and so on. (1) oxidation resistance of silicon carbide ceramic… Lue lis\u00e4\u00e4 »Piikarbidikeramiikan erinomaiset ominaisuudet ja sintrausmenetelm\u00e4t<\/span><\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"off","neve_meta_content_width":70,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[6],"tags":[],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195"}],"collection":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=195"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":196,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/195\/revisions\/196"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=195"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=195"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/advance-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=195"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}